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BSC057N03MS
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BSC057N03MS

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/411+
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BSC057N03MS Næ²é 30.0 V 73.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,6 mOhm; Innendurchmesser (max.): 73,0 A;

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BSC100N03MS INFINEON11+P-TDSON-8Næ²é 30,0 V 44,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS
BSC047N08NS3 INFINEON11+TDSON-8Næ²é 80,0 V 100,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,7 mOhm; RDS
BSC090N03MS INFINEON11+SON-8Næ²é 30,0 V 48,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS
BSC080N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); 33.0 Zoll® N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS
BSC057N03LS INFINEON11+TDS0N-8N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS
BSC059N03S INFINEON11+TDS0N-8N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS
BSC031N06NS3 INFINEON11+SuperSO8Næ²é 60,0 V 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (o
BSC100N10NSF INFINEON10+TDS0N-8100,0 V 90,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;
BSC082N10LS INFINEON10+TSSOP-20100,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm;
BSC020N03LS INFINEON10+TDSON-830,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,2 mOhm; RD

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Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSC059N03S INFINEON11+TDS0N-8N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS
BSC031N06NS3 INFINEON11+SuperSO8Næ²é 60,0 V 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (o
BSC100N10NSF INFINEON10+TDS0N-8100,0 V 90,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;
BSC082N10LS INFINEON10+TSSOP-20100,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm;
BSC020N03LS INFINEON10+TDSON-830,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,2 mOhm; RD
BSC020N03MS INFINEON10+TDSON-830,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,2 mOhm; RD
BSC025N03MS INFINEON2011+TDSON-8Néé 30,0 V 100,0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm;
BSC027N03S INFINEON2011+TDSON-8Néé 30,0 V 100,0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm;
BSC060N10NS3 INFINEON2011+TDSON-8Néé100.0 V 90.0 A åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm;
BSC057N08NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/480.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,7 mOhm; RDS
BSC100N03LSG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/430.0 V 44.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (
BSC100N03MSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 44.0 aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm;
BSC090N03LSG INFINEON10+TDSON-8Néé 30.0 V 47.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RD
BSC047N08NS3G INFINEON10+TDSON-8Néé 80.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,7 mOhm; RDS
BSC080N03MSG INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,2
BSC057N03LSG INFINEON2011+TDSON-830.0 V 73A Nééï1/4åºæåºç®¡
BSC057N03MSG INFINEON2011+TDSON-830.0 V 73A Nééï1/4åºæåºç®¡
BSC059N03SG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/460.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (
BSC031N06NS3G INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/460.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,1 mOhm; RDS (
BSC100N10NSFG INFINEON2011+TDSON-8Nééï1/4100.0 V 90.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RD

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