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IRG4RC10SPBF
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IRG4RC10SPBF

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IRG4RC10SPBF600 V DC-1 kHz (Standard) Diskreter IGBT in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4RC10S mit bleifreier Verpackung

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IRLZ34NSTRLPBF IR10+SOT-26355V Næ²éåºæåºç®¡
IRLR120NTRPBF IR10+TO-252100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR120NTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRFB3004PBF IR10+TO-24740-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRG4PC50UPBF IR10+SMDç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçéåº¦è¶ å¿«éINSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRF6620TRPBF IR10+SMDEin 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom
IRFP4232PBF IR10+TO-247HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3808PBF IR10+TO-220ABHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7103TRPBF IR10+SOP-850-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7103TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6623TR1PBF IR10+QFNEin 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IR2110STRPBF IR10+SOP-16High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

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IRFP4232PBF IR10+TO-247HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3808PBF IR10+TO-220ABHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7103TRPBF IR10+SOP-850-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7103TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6623TR1PBF IR10+QFNEin 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IR2110STRPBF IR10+SOP-16High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in
IRLL2705PBF IR10+SOT-223HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A )
IRF5800TRPBF IR10+SOT23-6-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung.
IRLR024NTRPBF IR10+TO-25255-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR024NTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFS4127TRLPBF IR10+TO-262200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse
IRF3415PBF IR10+TO-220HEXFETåçMOSFET
IRF520NPBF IR10+TO-220100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung
IRF3415SPBF IR10+D2-PAK150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung
IR2136JTRPBF IR10+PLCC-323-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf
IR2181PBF IR10+DIP8-KARTONé«ç« ̄åä1/2ç« ̄驱å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA
IRLZ24NPBF IR10+TO-22055-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung
IRF1010EZPBF IR10+TO-220ABåçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî
IRFR4615TRLPBF IR10+D-PAK150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFB4615PBF IR10+TO220150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFR2405TRPBF IR2011TO-25255-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF1503SPBF IR2011TO-263HEXFET-Leistungs-MOSFET

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