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RFP70N06
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RFP70N06 70 A, 60 V, 0,014 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene

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FDMS2572 FAIRCHILD2010+QFN-56N-Kanal UltraFET Trenchâ MOSFET 150V, 27A, 47mз
FDMS8662 VISHAY2010+QFN-830V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: Power 56 (PQFN); Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
FDMS8660S VISHAY2010+QFN-8N -ééçPowerTrenchå1/4SyncFETï1/430Vçï1/440Aæ¡ï1/42.4mOHM
SI4435DY VISHAY2010+SOP-830V P-Kanal PowerTrench MOSFET; ; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
SFP9540 FAIRCHILD2010+TO-220P-Kanal Power MOSFET(æ1/4æºçμåä ̧º-100VçPæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD16N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25216A, 50V, 0.047 Ohm, Logikpegel, N-Kanal Leistungs-MOSFETs (16A, 50V, 0.047 Ω N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM9A FAIRCHILD2010+TO-25214 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25214 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05L FAIRCHILD2010+TO-25114 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
NDT451AN FAIRCHILD2010+SOT-223N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/47.2Aï1/430Vï1/40.035Ωï1/4(Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ7.2A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.035Ωï1/4)

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

FAIRCHILDåç产åæ ̈è


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RFD16N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25216A, 50V, 0.047 Ohm, Logikpegel, N-Kanal Leistungs-MOSFETs (16A, 50V, 0.047 Ω N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM9A FAIRCHILD2010+TO-25214 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25214 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05L FAIRCHILD2010+TO-25114 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
NDT451AN FAIRCHILD2010+SOT-223N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/47.2Aï1/430Vï1/40.035Ωï1/4(Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ7.2A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.035Ωï1/4)
NDS356AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3P-Kanal Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-1.1Aï1/4-30Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-1.1A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)
NDS355AN FAIRCHILD2010+SOT-23-3N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/41.7Aï1/430Vï1/40.125Ωï1/4(Næ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç¡ï1®/4æ1/4çμæμ1.7A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé» 0.125Ωï1/4)
NDS352AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3P-Kanal Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-0.9Aï1/4-30Vï1/40.5Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-0.9A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.5Ωï1/4)
FDN5630_NL FAIRCHILD2010+SOT-2360V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SuperSOT; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
MTP3055VL FAIRCHILD2010+TO-220Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Logic Level Enhancement Mode Feldeffekttransistor; Gehäuse: TO-220AB; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
HUF76407D3ST FAIRCHILD2010+TO-25211 A, 60 V, 0,107 Ohm, N-Kanal, UltraFET-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel; Gehäuse: TO-252(DPAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
HUF75882G3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 100V, 0.008 Ohm, N-Kanal UltraFET Leistungs-MOSFET (75A, 100V, 0.008Ω Næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡)
HUF75653G3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 100V, 0.008 Ohm, N-Kanal UltraFET Leistungs-MOSFET (75A, 100V, 0.008Ω Næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡)
HUF75545P3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 80V, 0.010 Ohm, N-Kanal, UltraFET-Leistungs-MOSFET (75A, 80V, 0.010Ω Næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡
HUF75339S3ST FAIRCHILD2010+TO-263åçåºæåºç®¡
HUF75339S3S FAIRCHILD2010+TO-26375 A, 55 V, 0,012 Ohm, N-Kanal-UltraFET-Leistungs-MOSFETs (75 A, 55 V, 0,012 Ω, Næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
HUF75339P3 FAIRCHILD2010+TO-22075 A, 55 V, 0,012 Ohm, N-Kanal-UltraFET-Leistungs-MOSFETs (75 A, 55 V, 0,012 Ω, Næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
HUF75339G3 FAIRCHILD2010+TO-24775 A, 55 V, 0,012 Ohm, N-Kanal UltraFET-Leistungs-MOSFETs (75 A, 55 V, 0,012 μm©, Næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡
HUF75321P3 FAIRCHILD2010+TO-22035 A, 55 V, 0,034 Ohm, N-Kanal UltraFET-Leistungs-MOSFETs (35 A, 55 V, 0,034 î©, næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
FQT13N06TF FAIRCHILD2010+SOT-22360V N-Kanal QFET; Gehäuse: SOT-223; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel

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