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NDT451AN
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NDT451AN

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  • 产åå称ï1/4N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/47.2Aï1/430Vï1/40.035Ωï1/4(Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ7.2A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.035Ωï1/4)
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NDT451AN N-Kanal Anreicherungsmodus Feldeffekttransistorï1/47.2Aï1/430Vï1/40.035Ωï1/4(Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ7.2A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.035Ωï1/4)

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RFP70N06 FAIRCHILD2010+TO-22070 A, 60 V, 0,014 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
RFD16N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25216A, 50V, 0.047 Ohm, Logikpegel, N-Kanal Leistungs-MOSFETs (16A, 50V, 0.047 Ω N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM9A FAIRCHILD2010+TO-25214 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25214 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05L FAIRCHILD2010+TO-25114 A, 50 V, 0,100 Ohm, Logikpegel, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs (14 A, 50 V, 0,100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
NDS356AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3P-Kanal Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-1.1Aï1/4-30Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-1.1A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)
NDS355AN FAIRCHILD2010+SOT-23-3N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/41.7Aï1/430Vï1/40.125Ωï1/4(Næ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç¡ï1®/4æ1/4çμæμ1.7A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé» 0.125Ωï1/4)
NDS352AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3P-Kanal Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-0.9Aï1/4-30Vï1/40.5Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-0.9A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.5Ωï1/4)
FDN5630_NL FAIRCHILD2010+SOT-2360V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SuperSOT; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
MTP3055VL FAIRCHILD2010+TO-220Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Logic Level Enhancement Mode Feldeffekttransistor; Gehäuse: TO-220AB; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene

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AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL

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NDS356AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3P-Kanal Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-1.1Aï1/4-30Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-1.1A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)
NDS355AN FAIRCHILD2010+SOT-23-3N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/41.7Aï1/430Vï1/40.125Ωï1/4(Næ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç¡ï1®/4æ1/4çμæμ1.7A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé» 0.125Ωï1/4)
NDS352AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3P-Kanal Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistorï1/4-0.9Aï1/4-30Vï1/40.5Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-0.9A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.5Ωï1/4)
FDN5630_NL FAIRCHILD2010+SOT-2360V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SuperSOT; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
MTP3055VL FAIRCHILD2010+TO-220Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Logic Level Enhancement Mode Feldeffekttransistor; Gehäuse: TO-220AB; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
HUF76407D3ST FAIRCHILD2010+TO-25211 A, 60 V, 0,107 Ohm, N-Kanal, UltraFET-Leistungs-MOSFET mit Logikpegel; Gehäuse: TO-252(DPAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
HUF75882G3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 100V, 0.008 Ohm, N-Kanal UltraFET Leistungs-MOSFET (75A, 100V, 0.008Ω Næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡)
HUF75653G3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 100V, 0.008 Ohm, N-Kanal UltraFET Leistungs-MOSFET (75A, 100V, 0.008Ω Næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡)
HUF75545P3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 80V, 0.010 Ohm, N-Kanal, UltraFET-Leistungs-MOSFET (75A, 80V, 0.010Ω Næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡
HUF75339S3ST FAIRCHILD2010+TO-263åçåºæåºç®¡
HUF75339S3S FAIRCHILD2010+TO-26375 A, 55 V, 0,012 Ohm, N-Kanal-UltraFET-Leistungs-MOSFETs (75 A, 55 V, 0,012 Ω, Næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
HUF75339P3 FAIRCHILD2010+TO-22075 A, 55 V, 0,012 Ohm, N-Kanal-UltraFET-Leistungs-MOSFETs (75 A, 55 V, 0,012 Ω, Næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
HUF75339G3 FAIRCHILD2010+TO-24775 A, 55 V, 0,012 Ohm, N-Kanal UltraFET-Leistungs-MOSFETs (75 A, 55 V, 0,012 μm©, Næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡
HUF75321P3 FAIRCHILD2010+TO-22035 A, 55 V, 0,034 Ohm, N-Kanal UltraFET-Leistungs-MOSFETs (35 A, 55 V, 0,034 î©, næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
FQT13N06TF FAIRCHILD2010+SOT-22360V N-Kanal QFET; Gehäuse: SOT-223; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
FQPF7N10 FAIRCHILD2010+TO-220100VçNæ²éMOSFET
FQPF50N06 FAIRCHILD2010+TO-22060VçPééMOSFET
FQP80N06 FAIRCHILD2010+TO-22060VçPééMOSFET
FQP47P06 FAIRCHILD2010+TO-22060VçPééMOSFET
FQP30N06 FAIRCHILD2010+TO-22060VçNæ²éMOSFET

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