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RFD14N05LSM9A
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RFD14N05LSM9A

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  • 产åå称ï1/414A, 50V, 0.100 Ohm, Livello Logico, MOSFET di Potenza a Canale N(14A, 50V, 0.100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
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RFD14N05LSM9A 14A, 50V, 0.100 Ohm, livello logico, MOSFET di potenza a canale N(14A, 50V, 0.100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)

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SI4435DY VISHAY2010+SOP-8MOSFET PowerTrench con canale P 30V; Numero di perni: 8; Contenitore: Nastro & bobina
SFP9540 FAIRCHILD2010+TO-220MOSFET di potenza a canale P(æ1/4æºçμåä ̧º-100VçPæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFP70N06 FAIRCHILD2010+TO-22070A, 60V, 0,014 Ohm, MOSFET di potenza a canale N; Pacchetto: TO-220; Numero di perni: 3; Contenitore: Ferroviario
RFD16N05LSM FAIRCHILD2010+TO-252MOSFET di potenza a canale N da 16 A, 50 V, 0,047 V, 0,047 A, 50 V, 0,047 Ω N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25214A, 50V, 0.100 Ohm, Livello Logico, MOSFET di Potenza a Canale N(14A, 50V, 0.100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05L FAIRCHILD2010+TO-25114A, 50V, 0.100 Ohm, Livello Logico, MOSFET di Potenza a Canale N(14A, 50V, 0.100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
NDT451AN FAIRCHILD2010+SOT-223Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del canale Nï1/47.2Aï1/430Vï1/40.035Ωï1/4(Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ7.2A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.035Ωï1/4)
NDS356AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del livello logico a canale Pï1/4-1.1Aï1/4-30Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-1.1A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)
NDS355AN FAIRCHILD2010+SOT-23-3Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del livello logico a canale Nï1/41.7Aï1/430Vï1/40.125Ωï1/4(Næ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ1.7A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.125Ωï1/4)

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FRCIR06-32-8P-F80-T108 Soluzioni di interconnessione ITT24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 SPINA PIN
SPCI-001-500 欧米è24+IMMERGEREè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2'
ET-JL06-18 Elettronica JAE2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
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ABB1240KLKF80P3 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈Dimensione del pin di contatto 12. AWG 40 fili
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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+IMMERGERECondensatore: ceramico, 4,7 nF, 1 kV, U2J, ±5%, THT, 5 mm
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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Condensatore: ceramico, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
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Codice C-1106437 Connettività TE24+è¿æ¥å ̈Accessori per connettori Cappuccio in alluminio pressofuso Pezzo sciolto
KH208-8 Vitrohm24+IMMERGERERegione, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, Conduttori Assiali, Filo Avvolto, Potenza (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
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A309560C7W Tecnologie energetiche Amphenol24+è¿æ¥å ̈309 Connettore,3P+N+T / 5W - 60A - Connettore - 277/480V keway 7h,IP67

FAIRCHILDåç产åæ ̈è


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RFD14N05LSM FAIRCHILD2010+TO-25214A, 50V, 0.100 Ohm, Livello Logico, MOSFET di Potenza a Canale N(14A, 50V, 0.100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
RFD14N05L FAIRCHILD2010+TO-25114A, 50V, 0.100 Ohm, Livello Logico, MOSFET di Potenza a Canale N(14A, 50V, 0.100 Ω, é»è3/4çμå¹³N æ²éåçMOSåºæåºç®¡)
NDT451AN FAIRCHILD2010+SOT-223Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del canale Nï1/47.2Aï1/430Vï1/40.035Ωï1/4(Næ²éå¢å1/4ºååºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ7.2A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.035Ωï1/4)
NDS356AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del livello logico a canale Pï1/4-1.1Aï1/4-30Vï1/40.3Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-1.1A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.3Ωï1/4)
NDS355AN FAIRCHILD2010+SOT-23-3Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del livello logico a canale Nï1/41.7Aï1/430Vï1/40.125Ωï1/4(Næ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ1.7A, æ1/4æºçμå30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.125Ωï1/4)
NDS352AP FAIRCHILD2010+SOT-23-3Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del livello logico a canale Pï1/4-0.9Aï1/4-30Vï1/40.5Ωï1/4(Pæ²éé»è3/4å¢å1/4ºåMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4çμæμ-0.9A, æ1/4æºçμå-30Vï1/4å ̄1/4éçμé»0.5Ωï1/4)
FDN5630_NL FAIRCHILD2010+SOT-23MOSFET PowerTrench a canale N 60V; Pacchetto: SuperSOT; Numero di perni: 3; Contenitore: Nastro & bobina
MTP3055VL FAIRCHILD2010+TO-220Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4çé»è3/4çμå¹³åºæåºæ¶ä1/2管 Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento del livello logico a canale N; Pacchetto: TO-220AB; Numero di perni: 3; Contenitore: Ferroviario
HUF76407D3ST FAIRCHILD2010+TO-25211A,60V, 0.107 Ohm, N-Channe, MOSFET di Potenza UltraFET a Livello Logico; Pacchetto: TO-252 (DPAK); Numero di perni: 2; Contenitore: Nastro & bobina
HUF75882G3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 100V, 0.008 Ohm, MOSFET di potenza UltraFET a canale N(75A, 100V, 0.008Ω næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡)
HUF75653G3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 100V, 0.008 Ohm, MOSFET di potenza UltraFET a canale N(75A, 100V, 0.008Ω næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡)
HUF75545P3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 80V, 0.010 Ohm, canale N, MOSFET di potenza UltraFET(75A, 80V, 0.010Ω næ²éé»è3/4çμå¹³åçMOSåºæåºç®¡
HUF75339S3ST FAIRCHILD2010+TO-263åçåºæåºç®¡
HUF75339S3S FAIRCHILD2010+TO-26375A, 55V, 0.012 Ohm, MOSFET di potenza UltraFET a canale N(75A, 55V, 0.012 î©, næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
HUF75339P3 FAIRCHILD2010+TO-22075A, 55V, 0.012 Ohm, MOSFET di potenza UltraFET a canale N(75A, 55V, 0.012 î©, næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
HUF75339G3 FAIRCHILD2010+TO-24775A, 55V, 0.012 Ohm, MOSFET di potenza UltraFET a canale N (75A, 55V, 0.012 î©, næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡
HUF75321P3 FAIRCHILD2010+TO-220MOSFET di potenza UltraFET a canale N da 35 A, 55 V, 0,034 Ohm (35 A, 55 V, 0,034 Ω, næ²éUltraFETåçMOSåºæåºç®¡)
FQT13N06TF FAIRCHILD2010+SOT-223QFET a canale N 60V; Pacchetto: SOT-223; Numero di perni: 3; Contenitore: Nastro & bobina
FQPF7N10 FAIRCHILD2010+TO-220100VçNæ²éMOSFET
FQPF50N06 FAIRCHILD2010+TO-22060VçPééMOSFET

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