| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRLR8259PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
|
IRLR8256TRPBF
| IR | 10+ | TO252 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
|
IRLR8256PBF
| IR | 10+ | TO252 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
|
IRF6717MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 38 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6717MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 38 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6709S2TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6709S2TR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6797MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6797MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6795MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6710S2TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6710S2TR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6713STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6713STR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6715MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6715MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6714MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 29 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6716MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6716MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6712STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |