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IRF6716MTRPBF
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IRF6716MTRPBF

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  • 产åå称ï1/4Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
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IRF6716MTRPBFEin 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen verfügbar, TR ist in der Teilenummer impliziert. .

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IRF6716MTRPBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on

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JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück

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IRF6716MTR1PBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6712STRPBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6712STR1PBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF7757TRPBF IR10+TSSOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse
IRF7757PBF IR10+TSSOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse
IRF5852TRPBF IR10+TSOP-620-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5852TR mit bleifreier Verpackung
IRF5851TRPBF IR10+SOT23-620V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET im Micro 6 Gehäuse; Ähnlich wie IRF5851TR mit bleifreier Verpackung.
IRF3711ZPBF IR10+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3704ZPBF IR10+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL3715ZPBF IR10+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL3714ZPBF IR10+SOT-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL3716PBF IR10+TO-220SMPS-MOSFET
IRF3711PBF IR10+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL3715PBF IR10+TO-22020-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRL3714PBF IR10+SOT-263SMPS-MOSFET HEXFETâLeistungs-MOSFET
IRF1302PBF IR10+SOT-263LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 256; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 78; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; Stecknadel
IRF3704PBF IR10+TO-22020-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRF3706PBF IR10+TO-22020-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3706 mit bleifreier Verpackung
IRL3502PBF IR10+TO-220HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL3102PBF IR11+TO-220HEXFETPower-MOSFET

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