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IRF6717MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 38 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6709S2TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6709S2TR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6797MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6797MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6795MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6710S2TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6710S2TR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6713STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6713STR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6715MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6715MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6714MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 29 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6716MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6716MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6712STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6712STR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF7757TRPBF
| IR | 10+ | TSSOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
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IRF7757PBF
| IR | 10+ | TSSOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
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IRF5852TRPBF
| IR | 10+ | TSOP-6 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5852TR mit bleifreier Verpackung |