| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRF6797MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6795MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6710S2TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6710S2TR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6713STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6713STR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6715MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6715MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6714MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 29 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6716MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6716MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6712STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF6712STR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
|
IRF7757TRPBF
| IR | 10+ | TSSOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
|
IRF7757PBF
| IR | 10+ | TSSOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
|
IRF5852TRPBF
| IR | 10+ | TSOP-6 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5852TR mit bleifreier Verpackung |
|
IRF5851TRPBF
| IR | 10+ | SOT23-6 | 20V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET im Micro 6 Gehäuse; Ähnlich wie IRF5851TR mit bleifreier Verpackung. |
|
IRF3711ZPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
IRF3704ZPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
IRL3715ZPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |