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IRF6714MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 29 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6716MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6716MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 39 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6712STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6712STR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 17 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF7757TRPBF
| IR | 10+ | TSSOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
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IRF7757PBF
| IR | 10+ | TSSOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSSOP-8-Gehäuse |
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IRF5852TRPBF
| IR | 10+ | TSOP-6 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5852TR mit bleifreier Verpackung |
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IRF5851TRPBF
| IR | 10+ | SOT23-6 | 20V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET im Micro 6 Gehäuse; Ähnlich wie IRF5851TR mit bleifreier Verpackung. |
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IRF3711ZPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3704ZPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL3715ZPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL3714ZPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL3716PBF
| IR | 10+ | TO-220 | SMPS-MOSFET |
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IRF3711PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL3715PBF
| IR | 10+ | TO-220 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRL3714PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | SMPS-MOSFET HEXFETâLeistungs-MOSFET |
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IRF1302PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 256; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 78; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; Stecknadel |
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IRF3704PBF
| IR | 10+ | TO-220 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse |
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IRF3706PBF
| IR | 10+ | TO-220 | 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3706 mit bleifreier Verpackung |