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IRFR9120NTRRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡) |
IRFR9120NCTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡) |
IRF5210LPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
IRF9540NLPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117mã , ID = -23A ) |
IRF9530NLPBF
| IR | 10+ | TO-262 | Fortschrittliche Prozesstechnologie Oberflächenmontage |
IRF9520NLPBF
| IR | 10+ | TO-235 | -100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9520NL mit bleifreier Verpackung |
IRF633
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal Leistungs-MOSFETs, 12A, 150-200 V |
IRF632
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal Leistungs-MOSFETs, 12A, 150-200 V |
IRF631
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal Leistungs-MOSFETs, 12A, 150-200 V |
IRF634STRRPBF
| IR | 10+ | TO-263 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634STRR
| IR | 10+ | TO-263 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634STRLPBF
| IR | 10+ | TO-263 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634STRL
| IR | 10+ | TO-263 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634SPBF
| IR | 10+ | TO-263 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634S
| IR | 10+ | TO-263 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634PBF
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634NSPBF
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634NS
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634NPBF
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |
IRF634N
| IR | 10+ | TO-220 | N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4) |