ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRF640
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF640

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4TO-220
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/48000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRF640çš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF640Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)

ä ̧IRF640ç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF634 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.45Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º8.1Aï1/4)
IRF640PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
UC2526A TI10+18PDIP, 18SOIC, 20PLCCç ̈³åèå®1/2è°å¶å ̈
IRF640LPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640L IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
UC2526 TI09+18PDIPç ̈³åèå®1/2è°å¶å ̈
IRF640STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF640STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF642 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
IRF641 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
IRF644STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644NSPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644NPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644N IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF9510STRR IR10+TO-2633,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·