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IRF642
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IRF642

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  • 产åå称ï1/4N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
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IRF642N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V

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IRF640STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
UC2526 TI09+18PDIPç ̈³åèå®1/2è°å¶å ̈
IRF640STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF641 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
UC2525B TI07+16SOICç ̈³åèå®1/2è°å¶å ̈
IRF644STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)

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HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22
2544040000 Weidmüller24+è¿æ¥å ̈2544040000 - Weidmüller 2544040000 Heavy Duty Steckverbinder HDC 40D TOBU 1M40G EMC

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF641 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
IRF644STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644NSPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644NPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644N IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF9510STRR IR10+TO-2633,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
IRF9510STRL IR10+TO-2633,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
IRF9510SPBF IR10+TO-2633,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
IRF9510S IR10+TO-2633,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
IRF9510PBF IR10+TO-2203,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
IRF9510 IR10+TO-2203,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
IRF9511 IR10+TO-220TRANSISTOR | MOSFET | P-KANAL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IRF9512 IR10+TO-220TRANSISTOR | MOSFET | P-KANAL | 100V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB

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