ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRF640STRRPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF640STRRPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产ååç§°ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4TO-263
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/48000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4ç¹å»æ¥æ3/4IRF640STRRPBFçpdfèμæ
  • ç¹å»è ̄¢ä»·
èç³»æä»¬ 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF640STRRPBFLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)

ä ̧IRF640STRRPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF640PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
UC2526A TI10+18PDIP, 18SOIC, 20PLCCç ̈³åèå®1/2è°å¶å ̈
IRF640LPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640L IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
UC2526 TI09+18PDIPç ̈³åèå®1/2è°å¶å ̈
IRF640STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æåº§ RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIPç»§çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT

IRåçäº§åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF640STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF642 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
IRF641 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
IRF644STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644NSPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644NPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644N IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF9510STRR IR10+TO-2633,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)
IRF9510STRL IR10+TO-2633,0 A, 100 V, 1.200 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET (3,0 A, 100 V, 1.200 Ω, Pæ²éåçMOSåºæåºç®¡)

åç±»æ£ç'¢