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IRF640L
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IRF640LLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)

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IRF640PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
UC2526A TI10+18PDIP, 18SOIC, 20PLCCç ̈³åèå®1/2è°å¶å ̈
IRF640LPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
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IRF640STRLPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
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HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
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TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
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KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais

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IRF640 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
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IRF640SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF640S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 18 A)
IRF642 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
IRF641 IR10+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 18 A, 150-200 V
IRF644STRRPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
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IRF644N IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)
IRF644 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 14 A)

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