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IPSH6N03LA Næ²éåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,2 mOhm; Zulässigkeit (max.): 50,0 A;

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SB606 PEC09+10+TO-3Pæ¡¥å1/4æ'æμå ̈
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IPS09N03LB INFINEON10+TO-251Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein)
IPS090N03L INFINEON10+TO-251Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein)
IPS060N03L INFINEON10+TO-251Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein)
IPS05N03LB INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL
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IPP80N03S4L INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
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