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IPP80N03S4L

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IPP80N03S4L Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ2 Leistungstransistor

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IPS05N03LA INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL
IPS04N03LB INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPS04N03LA INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPS03N03LB INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPS03N03LA INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPP80CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP50CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP35CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
SB603 LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IPP26CNE8N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
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M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
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6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
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Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

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IPP14N03LA INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER
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IPP12CNE8N INFINEON2010+PG-TO220-3åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
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IPP114N03L INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPP10N03LB INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V):
IPP100N06S2L05 INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 OptiMOSã¢-T Leistungstransistor
IPP09N03LA INFINEON2010+TO220-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V):
IPP096N03L INFINEON2010+TO-220-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V):
IPP08CNE8N INFINEON2010+PG-TO220-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPP08CN10N INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V

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