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IPS03N03LB
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IPS03N03LB

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  • 产åå称ï1/4Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
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IPS03N03LB Næ²éåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 5,3 mOhm; Bezeichnung (max.): 90,0 A

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IPS060N03L INFINEON10+TO-251Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein)
IPS05N03LB INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL
IPS05N03LA INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL
IPS04N03LB INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPS04N03LA INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPS03N03LA INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPP80N03S4L INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP80CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP50CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP35CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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IPS03N03LA INFINEON10+P-TO251-3Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)
IPP80N03S4L INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP80CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP50CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP35CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP26CNE8N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP26CN10N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP16CNE8N INFINEON10+PG-TO220-3Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER
IPP16CN10N INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER
IPP14N03LA INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER
IPP147N03L INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡
IPP13N03LB INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡
IPP12CNE8N INFINEON2010+PG-TO220-3åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP12CN10N INFINEON2010+PG-TO220-3-åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP11N03LA INFINEON2010+TO220-3åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
IPP114N03L INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPP10N03LB INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V):
IPP100N06S2L05 INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 OptiMOSã¢-T Leistungstransistor
IPP09N03LA INFINEON2010+TO220-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V):
IPP096N03L INFINEON2010+TO-220-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V):

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