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IPP16CN10N INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER
IPP14N03LA INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER
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IPP147N03L INFINEON10+T0-220Næ²éåºæåºç®¡
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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
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PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
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HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
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IPP12CN10N INFINEON2010+PG-TO220-3-åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
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IPP100N06S2L05 INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 OptiMOSã¢-T Leistungstransistor
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IPP096N03L INFINEON2010+TO-220-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V):
IPP08CNE8N INFINEON2010+PG-TO220-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPP08CN10N INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPP080N03L INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPP07N03LB INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,5 mOhm; RDS (an) (max.) (@4,5
IPP075N150N3 INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,5 mOhm; RDS (an) (max.) (@4,5
IPP06N03LA INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor
IPP06CNE8N INFINEON2010+TO-220åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor
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