IRF4905STRLPBF

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äº§ååç§°ï1/4HEXFET-Leistungs-MOSFET
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IRF4905STRLPBFHEXFET-Leistungs-MOSFET

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IRF4905STRLPBF	IR	10+	TO-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET

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ACB1/PG-4S-S34	VERSCHIEDENES	24+	è¿æ¥å ̈	VERBINDER
ACB1/BK-4S-S34	VERSCHIEDENES	24+	è¿æ¥å ̈	VERBINDER
0-1103277-1	TE Connectivity	24+	è¿æ¥å ̈	Anschlussgehäuse M 12 POS Crimp ST Kabelhalterung Grau Lose
SJS830200P	Amphenol PKD	2023+	è¿æ¥å ̈	æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P	Amphenol PKD	2023+	è¿æ¥å ̈	æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1	Amphenol	24+	è¿æ¥å ̈	M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12	ITT Interconnect-Lösungen	24+	è¿æ¥å ̈	CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12	ITT Interconnect-Lösungen	24+	è¿æ¥å ̈	CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0	TE/AMP	24+	è¿æ¥å ̈	CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108	ITT Interconnect-Lösungen	24+	è¿æ¥å ̈	STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ	AVX	24+	SMD	Kappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29	Amphenol	24+	è¿æ¥å ̈	è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æåº§ RJ45
E43M22MSH3720P1	SOURIAU-SONNENBANK	21+	è¿æ¥å ̈	æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1	SOURIAU-SONNENBANK	21+	è¿æ¥å ̈	æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1	SOURIAU-SONNENBANK	21+	è¿æ¥å ̈	æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2	SOURIAU-SONNENBANK	21+	è¿æ¥å ̈	æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1	SOURIAU-SONNENBANK	21+	è¿æ¥å ̈	æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1	TE	2023+	DIP	ç»§çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9	TE	2023+	è¿æ¥å ̈	CONN HEADER VERT 18POS 5MM

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IRF4905STRRPBF	IR	10+	TO-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF4905SPBF	IR	10+	TO-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF5305STRRPBF	IR	10+	D2-pak	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF5305SPBF	IR	10+	D2-pak	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF9Z34NSTRRPBF	IR	10+	D2-pak	Fortschrittliche Prozesstechnik
IRF9Z34NSPBF	IR	10+	D2-pak	Fortschrittliche Prozesstechnik
IRF9Z24NSTRLPBF	IR	10+	TO-263	-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z24NS mit bleifreier Verpackung
IRF9Z24NSPBF	IR	10+	TO-263	-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z24NS mit bleifreier Verpackung
IRF9Z24NSTRRPBF	IR	10+	D2PAK	-55V Single P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9Z24NSTRR mit bleifreier Verpackung
IRF9520NPBF	IR	10+	TO-251	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFU5410PBF	IR	10+	TO-251	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFU9120NPBF	IR	10+	TO-251	LA-MachXO Automotive Nichtflüchtiges PLD für Anwendungen mit geringer Dichte; LUTs: 2280; Versorgungsspannung: 1,2 V; I/Os: 113; Klasse: -3; Gehäuse: bleifreies TQFP; P
IRFR5410TRLPBF	IR	10+	TO-252	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR5410TRRPBF	IR	10+	TO-252	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR5410PBF	IR	10+	TO-252	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR9120NTRRPBF	IR	10+	SOT-263	P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡)
IRFR9120NCTRPBF	IR	10+	SOT-263	P-Kanal oberflächenmontierbarer HEXFET-Leistungs-MOSFET (Pæ²éè¡ ̈è''åHEXFETåçMOSåºæåºç®¡)
IRF5210LPBF	IR	10+	SOT-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF9540NLPBF	IR	10+	SOT-263	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117mã , ID = -23A )
IRF9530NLPBF	IR	10+	TO-262	Fortschrittliche Prozesstechnologie Oberflächenmontage

IRF4905STRLPBF

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