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IPD16CNE8N
| INFINEON | 2010+ | SOT-252 | åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.) |
IPD16CN10N
| INFINEON | 2010+ | SOT-252 | åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.) |
IPD144N06NG
| INFINEON | 2010+ | SOT-252 | åçæ¶ä1/2管 |
IPD13N03LA
| INFINEON | 2010+ | SOT-252 | åçæ¶ä1/2管 Flachbandkabel; Anzahl der Leiter:10; Rasterabstand: 0,05 Zoll; Leitergröße AWG: 28; Anzahl Stränge x Stranggröße:7 x 36; Leitermaterial: C |
IPD135N03LG
| INFINEON | 2010+ | SOT-252 | åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,5 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
SB310G
| SEP/TSC | 11+ROH | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
IPD12CNE8N
| INFINEON | 2010+ | TO252-3 | åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
IPD12CN10N
| INFINEON | 2010+ | TO252-3 | åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.) |
SB3100G
| SEP | 10+ | DIP-4 | æ¡¥å1/4æ'æμå ̈ |
IPD10N03LA
| INFINEON | 2010+ | TO252-3 | åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,4 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |