IRF6620TRPBF

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äº§ååç§°ï1/4Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom
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IRF6620TRPBFEin 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6620 für die Verwendung mit bleifreiem Lot qualifiziert, das in Band und Rolle geliefert wird 4800 Stück

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IRF6620TRPBF	IR	10+	SMD	Ein 20-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 150 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie Wechselstrom

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RDE7U3A472J4K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	DIP	Kondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2	æ²å°ç¹å®	24+	DIP	è1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	çμå®¹	Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN	OMRON Corporation	24+	æé®	ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437	TE Connectivity	24+	è¿æ¥å ̈	Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8	Vitrohm	24+	DIP	Widerstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000	Amphenol Positronic	23+	DIP	©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11	å3/4·å1/2E+E	24+	æ ̈¡å	å·åæ£æμä»ª
A309560C7W	Amphenol Energy Technologies	24+	è¿æ¥å ̈	309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W	Hubbell Premise Verkabelung	24+	è¿æ¥å ̈	PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S	Amphenol Corporation	24+	è¿æ¥å ̈	Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6	è±å§	24+	ä1/4 æå ̈	çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	å»¶æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0	AB Steckverbinder	23+	è¿æ¥å ̈	è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0	AB Steckverbinder	23+	è¿æ¥å ̈	è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0	AB Steckverbinder	23+	è¿æ¥å ̈	è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æåº§, 12 è§¦ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

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IRG4RC10SPBF	IR	10+	TO-252	600 V DC-1 kHz (Standard) Diskreter IGBT in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4RC10S mit bleifreier Verpackung
IRFP4232PBF	IR	10+	TO-247	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3808PBF	IR	10+	TO-220AB	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7103TRPBF	IR	10+	SOP-8	50-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7103TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6623TR1PBF	IR	10+	QFN	Ein 20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET ST-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
IR2110STRPBF	IR	10+	SOP-16	High- und Low-Side-Treiber, alle Hochspannungspins auf einer Seite, getrennte Logik und Strommasse, abgeschaltet in einem 14-poligen DIP-Gehäuse; Ein IR2110 verpackt in
IRLL2705PBF	IR	10+	SOT-223	HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ein) = 0,04ã , ID = 3,8A )
IRF5800TRPBF	IR	10+	SOT23-6	-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6) Gehäuse; Ähnlich wie IRF5800TR mit bleifreier Verpackung.
IRLR024NTRPBF	IR	10+	TO-252	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR024NTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFS4127TRLPBF	IR	10+	TO-262	200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Schalter in einem D2-Pak-Gehäuse
IRF3415PBF	IR	10+	TO-220	HEXFETåçMOSFET
IRF520NPBF	IR	10+	TO-220	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie IRF520N mit bleifreier Verpackung
IRF3415SPBF	IR	10+	D2-PAK	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF3415S mit bleifreier Verpackung
IR2136JTRPBF	IR	10+	PLCC-32	3-Phasen-Treiber, Soft-Turn-On, invertierender Eingang, getrennte High- und Low-Side-Eingänge, 200ns Totzeit.; Ein IR2136 verpackt in einem Mod. 44-polige SPSC, geliefert auf
IR2181PBF	IR	10+	DIP8-KARTON	é«ç« ̄åä1/2ç« ̄é©±å ̈ SCHILD, FEUERLEITER FREIHALTEN, 200X200; RoHS-konform: NA
IRLZ24NPBF	IR	10+	TO-220	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie die IRLZ24N in bleifreier Verpackung
IRF1010EZPBF	IR	10+	TO-220AB	åçMOSFET Leistung MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mohm, Id = 84 Aî
IRFR4615TRLPBF	IR	10+	D-PAK	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFB4615PBF	IR	10+	TO220	150-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
IRFR2405TRPBF	IR	2011	TO-252	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR2405TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel

IRF6620TRPBF

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