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IPB45N06S3-16
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IPB45N06S3-16

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IPB45N06S3-16  OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor

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IPB47N10S-33 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45P03P4L-11 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S4L-08 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S4-09 INFINEON10+D PAKOptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N06S3L-13 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB45N04S4L-08 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3L-22 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3-25 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB22N03S4L-15 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N06S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R

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ACB1/PG-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
ACB1/BK-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER
0-1103277-1 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Anschlussgehäuse M 12 POS Crimp ST Kabelhalterung Grau Lose
SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIP继çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM

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IPB45N04S4L-08 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3L-22 INFINEON10+TO263-3-2OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB25N06S3-25 INFINEON10+TO-263OptiMOSâ¢-T Leistungstransistor
IPB22N03S4L-15 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N06S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S4-00 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N04S3-02 INFINEON10+TO-263Single: N-Kanal 30V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-7; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,05 mOhm; Zulässigkeit (max.): 180,0 A; R
IPB180N03S4L-H0 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB180N03S4L-01 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S4-H1 INFINEON10+PG-TO263-7-OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S3-H2 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S2L-03 INFINEON10+PG-TO263-7OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB160N04S2-03 INFINEON10+TO-263-6OptiMOS⢠- T Leistungs-Transistor
IPB120N06S4-H1 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-03 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB120N06S4-02 INFINEON10+TO263-3Single: N-Kanal 60V MOSFETs; Gehäuse: PG-TO263-3; Technologie: OptiMOSâ¢-T2; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; ID (max): 120,0 A; Rt
IPB100N10S3-05 INFINEON10+PG-TO263-3OptiMOSâ Leistungstransistor
IPB100N08S2L-07 INFINEON10+TO263-3OptiMOSâ Leistungstransistor
IRLMS6802TRPBF INFINEON11+SOT23-6-20-V-Single-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TSOP-6 (Micro 6)-Gehäuse; Ähnlich wie IRLMS6802TR mit bleifreier Verpackung

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