ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > éæçμè· ̄(IC)
SLA24C02D
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

SLA24C02D

  • æå±ç±»å«ï1/4éæçμè· ̄(IC)
  • 产åå称ï1/4åè£ ç°è'§
  • ååï1/4Infineon
  • ç产æ¹å·ï1/49750
  • å°è£ ï1/4DIP-8P
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/45000
  • æä1/2袮 è'éï1/40
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找SLA24C02Dçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»
SLA24C02Dæ£æ°ç°è'§ç±Infineonååç产,éç ̈DIP-8På°è£ ,æ¹å·9750,å3/4®è ̄ç3/4å¹'éæçμè· ̄ä»åºç åæåºå®

ä ̧SLA24C02Dç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
NE587D Philips05+SOP-20å ̈æ°åè£
AU5790E Philips99/00+SMD14å ̈æ°åè£
EPF10K50RC240-1 ALRERA04+QFP-240Åμå ¥å1/4å ̄ç1/4ç ̈é»è3/4å ̈件
CY7C65630 ZYPRESSE07+QFNå ̈æ°åè£
KIATL431 KEC04+Nï1/4Aå ̈æ°åè£
ST92195C7B1/OEL ST03+SDIP-56å ̈æ°åºå
LT1658I LT00+SOP-8å ̈æ°åè£
EMC8100B Nï1/4ANï1/4ANï1/4ANï1/4A
AD421BN INSERAT13+DIP-16ç ̄è· ̄ä3/4çμ4-20 mA DAC
TDA4766 ST9823+DIP42å ̈æ°åè£

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.

Infineonåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
SLA24C04D3 Infineon97+DIP-8Påè£ ç°è'§
TCA785 INFINEON2011+DIP-16ç ̧ä1/2æ§å¶éæçμè· ̄
BSP125 INFINEON11+SOT-223SIPMOSå°ä¿¡å·æ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4ï1/4
IPB070N06LG INFINEON10+TO-263MOSFET N-CH 60V 80A BIS-263
IRF6217PBF INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ SMPS MOSFET HEXFETã¢Power MOSFET
IRFU6215PBF INFINEON2010+TO-251Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET
IRFR6215TRLPBF INFINEON2010+TO-252150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215PBF INFINEON2010+TO-252150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215CTRLPBF INFINEON2010+TO-260150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215CPBF INFINEON2010+TO-260150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215L-103PBF INFINEON2010+TO-261150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215LPBF INFINEON2010+TO-263150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215STRLPBF INFINEON2010+TO-263150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215SPBF INFINEON2010+TO-263HEXFET® POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ã , ID=-13A )
BSO303P INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ P-Kanal MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 32,0 mOhm; R
BSO303SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 31,0
BSC110N06NS3 INFINEON11+TDSON-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m
BSO301SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m
BSO080P03S INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD
BSO080P03NS3 INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·