ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IPB070N06LG
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IPB070N06LG

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4MOSFET N-CH 60V 80A BIS-263
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4TO-263
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/439000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IPB070N06LGçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IPB070N06LG MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

ä ̧IPB070N06LGç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
OPA353 TI08+5SOT-23, 8SOICMicroAmplifier(TM) ç³»åé«éåçμæºè1/2 ̈è³è1/2 ̈è¿ç®æ3/4大å ̈
TPA2037D1 TI10+9DSBGAåºå®å¢ç 3.2W å声é D ç±»ï1/4å ·æéæ DAC åªå£°æ»¤æ³¢å ̈
TPA6012A4 TI10+HTSSOP24å ·æé«çº§ DC é³éæ§å¶ç 2W ç«ä1/2声é³é¢åçæ3/4大å ̈
OPA373 TI08+09+6SOT-23, 8SOIC6.5MHz 585uA è1/2 ̈è³è1/2 ̈ I/O CMOS è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA374 TI10+5SOT-23, 8SOIC6.5MHzã585uAãè1/2 ̈è³è1/2 ̈ I/O CMOS è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA377 TI10+5SC70, 5SOT-23, 8SOICä1/2ææ¬ãä1/2åªå£°ã5.5MHz CMOS è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA380 TI10+8MSOP, 8SOICé«éç²3/4å ̄äºé»ææ3/4大å ̈
OPA602 TI10+8PDIP, 8SOICé«éç²3/4å ̄ Difet(R) è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA604 TI10+8PDIP, 8SOICFET è3/4å ¥é³é¢è¿ç®æ3/4大å ̈
TPA6013A4 TI09+24-TSSOPå ·æé«çº§ DC é³éæ§å¶ç 3W ç«ä1/2声é³é¢åçæ3/4大å ̈

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais

INFINEONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF6217PBF INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ SMPS MOSFET HEXFETã¢Power MOSFET
IRFU6215PBF INFINEON2010+TO-251Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET
IRFR6215TRLPBF INFINEON2010+TO-252150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215PBF INFINEON2010+TO-252150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215CTRLPBF INFINEON2010+TO-260150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215CPBF INFINEON2010+TO-260150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215L-103PBF INFINEON2010+TO-261150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215LPBF INFINEON2010+TO-263150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215STRLPBF INFINEON2010+TO-263150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215SPBF INFINEON2010+TO-263HEXFET® POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ã , ID=-13A )
BSO303P INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ P-Kanal MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 32,0 mOhm; R
BSO303SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 31,0
BSC110N06NS3 INFINEON11+TDSON-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m
BSO301SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m
BSO080P03S INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD
BSO080P03NS3 INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD
BSO080P03NS3E INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD
BSC110N06NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé60.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,0 mOhm; RDS (o
BSC106N025SG INFINEON11+P-DSO-8Nééåºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
BSC100N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 60.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·