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SI4392DT-T1
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SI4392DT-T1

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SI4392DT-T1 Vishay05+SO-8Nï1/4A

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TM-I 2000/115-230 P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC

Vishayåç产åæ ̈è


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TCSS-1302 VishayNï1/4ADIPå çμå1/4å ³
BYT42J VISHAY03+SOD-57å ̈æ°åè£
SI2302 VISHAY2011+SOT23-3NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管
SI2301 VISHAY2009+SOT-23-3Pééç2.5 Vï1/4GSï1/4çMOSFETç
DG212BDY VISHAY10+SOIC-16Analoger Schalter / Multiplexer (Mux) IC; Einschaltwiderstand, Rds(ein):85ohm; Analoge Schaltfunktion: Allzweck; Leckstrom: 0,5 nA; Versorgungsspannung max.:
SI2304BDS Vishay10+SOT-23N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI2304BDS-T1-E3 Vishay10+SOT-23N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI2328DS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308DS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308DS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
SI2308BDS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308BDS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
IRF1010 Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mOhm, Id = 84 A
IRF1310S Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF1310 Vishay10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF510STRRPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRR Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRLPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRL Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510SPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET

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