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SI2304BDS-T1-E3
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SI2304BDS-T1-E3

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  • 产åå称ï1/4N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
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SI2304BDS-T1-E3 N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET

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SI2304BDS Vishay10+SOT-23N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET
SI2304BDS-T1-E3 Vishay10+SOT-23N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET

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PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren

Vishayåç产åæ ̈è


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SI2328DS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308DS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308DS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
SI2308BDS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308BDS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
IRF1010 Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mOhm, Id = 84 A
IRF1310S Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF1310 Vishay10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF510STRRPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRR Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRLPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRL Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510SPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510S Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510PBF Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF511 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ RES 4.75K-OHM 1% 0.125W 100PPM DICKSCHICHT-SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
IRF512 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ N-Kanal Leistungs-MOSFETs, 5,5 A, 60-100V
IRF513 Vishay11+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 5,5 A, 60-100 V
IRF520STRR Vishay10+TO-2639,2 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (9,2 A, 100 V, 0,270 Ω, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)

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