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Si2308BDS-T1-E3
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SI2308BDS-T1-E3

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SI2308BDS-T1-E3 Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;

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SI2308BDS-T1-E3 Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
Si2308BDS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais

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Si2308BDS Vishay10+SOT-23Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration;
IRF1010 Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mOhm, Id = 84 A
IRF1310S Vishay10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF1310 Vishay10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A)
IRF510STRRPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRR Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRLPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510STRL Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510SPBF Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510S Vishay11+TO-263Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510PBF Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF510 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET
IRF511 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ RES 4.75K-OHM 1% 0.125W 100PPM DICKSCHICHT-SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
IRF512 Vishay11+TO-220Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ N-Kanal Leistungs-MOSFETs, 5,5 A, 60-100V
IRF513 Vishay11+TO-220N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 5,5 A, 60-100 V
IRF520STRR Vishay10+TO-2639,2 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (9,2 A, 100 V, 0,270 Ω, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)
IRF520STRL Vishay10+TO-2639,2 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (9,2 A, 100 V, 0,270 Ω, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)
IRF520S Vishay10+TO-2639,2 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (9,2 A, 100 V, 0,270 Ω, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)
IRF520PBF Vishay10+TO-2209,2 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (9,2 A, 100 V, 0,270 Ω, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)
IRF520 Vishay10+TO-2209,2 A, 100 V, 0,270 Ohm, N-Kanal Leistungs-MOSFET (9,2 A, 100 V, 0,270 Ω, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)

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