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DG212BDY
| VISHAY | 10+ | SOIC-16 | Analoger Schalter / Multiplexer (Mux) IC; Einschaltwiderstand, Rds(ein):85ohm; Analoge Schaltfunktion: Allzweck; Leckstrom: 0,5 nA; Versorgungsspannung max.: |
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SI2304BDS
| Vishay | 10+ | SOT-23 | N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET |
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SI2304BDS-T1-E3
| Vishay | 10+ | SOT-23 | N-Kanal 30-V (D-S) MOSFET |
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SI2328DS-T1-E3
| Vishay | 10+ | SOT-23 | Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration; |
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Si2308DS
| Vishay | 10+ | SOT-23 | Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration; |
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Si2308DS-T1-E3
| Vishay | 10+ | SOT-23 | Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration; |
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SI2308BDS-T1-E3
| Vishay | 10+ | SOT-23 | Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration; |
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Si2308BDS
| Vishay | 10+ | SOT-23 | Næ²éMOSFETç12Væ¿ç1/2çå1/4å ³çμæºï1/4éåé ç1/2®; N-Kanal-MOSFET für 12-V-Platinnetz-Schaltnetzteile; Buck-Konfiguration; |
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IRF1010
| Vishay | 10+ | TO-263 | Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 12 mOhm, Id = 84 A |
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IRF1310S
| Vishay | 10+ | TO-263 | Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A) |
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IRF1310
| Vishay | 10+ | TO-220 | Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,036 Ohm, Id = 42 A) |
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IRF510STRRPBF
| Vishay | 11+ | TO-263 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF510STRR
| Vishay | 11+ | TO-263 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF510STRLPBF
| Vishay | 11+ | TO-263 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF510STRL
| Vishay | 11+ | TO-263 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF510SPBF
| Vishay | 11+ | TO-263 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF510S
| Vishay | 11+ | TO-263 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF510PBF
| Vishay | 11+ | TO-220 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF510
| Vishay | 11+ | TO-220 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Kanal Power MOSFET |
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IRF511
| Vishay | 11+ | TO-220 | Næ²éå¢å1/4ºåç«å1/4DMOSåçåºæåºç®¡ RES 4.75K-OHM 1% 0.125W 100PPM DICKSCHICHT-SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA |