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PSMN102-200Y
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PSMN102-200Y

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  • 产åå称ï1/4N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V
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PSMN102-200YN-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V

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THS4271-EP TI10+8MSOP-PowerPADå¢å1/4ºå产åãä1/2åªå£°ãé«è1/2¬æ¢çãåä1/2å¢çãç ̈³å®çμååé¦æ3/4大å ̈
THS4271 TI10+8MSOP, 8MSOP-PowerPAD, 8SOIC, 8SONè¶ å¿«è¶ ä1/2失çé«éæ3/4大å ̈
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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
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AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
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RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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