产ååå·äº§ååç§°æ¹å·ååå°è£æ°é 
GMS90C52-G262  98+LGSDIP-40 å é¤
PSMN102-200Y N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V10+NXP (Englisch)SOT-669 å é¤

æ ̈çå§åï1/4
å ¬å ̧åç§°ï1/4
å°åï1/4
çμè ̄ï1/4
çμåé®ä»¶ï1/4
é®ç1/4ï1/4
夿³ ̈ï1/4

  继续选择