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IRLR8715CTRLPBF
| IR | 10+ | D-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR8715CPBF
| IR | 10+ | D-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR8711CTRPBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR8711CTRLPBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR8711CPBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR8259TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8259PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8256TRPBF
| IR | 10+ | TO252 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8256PBF
| IR | 10+ | TO252 | 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRF6717MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 38 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6717MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 38 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6709S2TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6709S2TR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6797MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6797MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 36 Ampere, optimiert für einen niedrigen Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6795MTRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6710S2TRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6710S2TR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 12 Ampere, optimiert und mit geringem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6713STRPBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6713STR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 22 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |