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IRFR3303PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR2703TRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR2703 mit bleifreier Verpackung |
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IRLR2703TRLPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR2703 mit bleifreier Verpackung |
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IRLR2703PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR2703 mit bleifreier Verpackung |
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IRFR3303CTRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | N-Kanal HEXFET Power MOSFET (Næ²éè¡ ̈è''å HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
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IRFR3303CPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | N-Kanal HEXFET Power MOSFET (Næ²éè¡ ̈è''å HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
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IRLR8729TRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8729PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8726TRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR8726PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse |
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IRLR4132PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 11 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6720S2TRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 11 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6720S2TR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 11 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6724MTRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 27 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6724MTR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 27 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722STRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722STR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722MTRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722MTR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6721STRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |