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IRF6724MTR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 27 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722STRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722STR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722MTRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6722MTR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6721STRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6721STR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6727MTRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte |
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IRF6727MTR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte |
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IRF6726MTRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6726MTR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6725MTRPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRF6725MTR1PBF
| IR | 2010+ | TO-252 | Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRL7833LPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL8113LPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3709ZLPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3709ZCLPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3707ZLPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRF3707ZCLPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRL2203NLPBF
| IR | 2010+ | TO-252 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRL2203NL mit bleifreier Verpackung |