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IRF6722MTR1PBF
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IRF6722MTR1PBF

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  • 产åå称ï1/4Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
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IRF6722MTR1PBFEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen verfügbar, TR ist in der Teilenummer impliziert

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IRF6722MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on

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CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
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KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
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Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
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IRF6721STRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6721STR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6727MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte
IRF6727MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte
IRF6726MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6726MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6725MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6725MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRL7833LPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL8113LPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3709ZLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3709ZCLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3707ZLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3707ZCLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL2203NLPBF IR2010+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRL2203NL mit bleifreier Verpackung
IRF3709LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRF1503LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRF3707LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRL3803LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRL3303LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET

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