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IRF6727MTRPBF
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IRF6727MTRPBF

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  • 产åå称ï1/4Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte
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IRF6727MTRPBFEin 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen verfügbar, TR ist in der Teilenummer impliziert

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IRF6727MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte

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621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
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D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
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KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,

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IRF6727MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte
IRF6726MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6726MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6725MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6725MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRL7833LPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL8113LPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3709ZLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3709ZCLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3707ZLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3707ZCLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL2203NLPBF IR2010+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse; Ähnlich wie IRL2203NL mit bleifreier Verpackung
IRF3709LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRF1503LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRF3707LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRL3803LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRL3303LPBF IR2010+TO-252HEXFETâ Leistungs-MOSFET
IRL7833STRLPBF IR10+TO-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL7833STRRPBF IR10+TO-263HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL7833SPBF IR10+TO-263HEXFET-Leistungs-MOSFET

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