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IRF6720S2TR1PBF
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IRF6720S2TR1PBF

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  • 产åå称ï1/4Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 11 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
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IRF6720S2TR1PBFEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 11 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen verfügbar, TR ist in der Teilenummer impliziert

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IRF6720S2TR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET S1-Gehäuse mit einer Nennleistung von 11 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
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ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
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KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)

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IRF6724MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 27 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6724MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 27 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6722STRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6722STR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6722MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6722MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MP-Gehäuse mit einer Nennleistung von 13 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6721STRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6721STR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 14 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6727MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte
IRF6727MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und eine Schottky-Diode in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Verschiffte
IRF6726MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6726MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6725MTRPBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRF6725MTR1PBF IR2010+TO-252Ein 30-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRL7833LPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRL8113LPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF3709ZLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
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IRF3707ZLPBF IR2010+TO-252HEXFET-Leistungs-MOSFET
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