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IRFL110PBF
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IRFL110PBF

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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
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IRFL110PBFLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)

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IRFL014TR IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014PBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014 IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL110TRPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110TR IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFP044PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP044 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP048RPBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048R IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais

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IRFL110 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFP044PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP044 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP048RPBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048R IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048PBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048 IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP054PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung
IRFP054 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung
IRFP064PBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî)
IRFP064 IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî)
IRFP140PBF IR11+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4)
IRFP140 IR11+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4)
IRFP150PBF IR11+TO-24740A, 100V, 0.055 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (40A, 100V, 0.055 Ohm, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)
IRFP150 IR11+TO-24740A, 100V, 0.055 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (40A, 100V, 0.055 Ohm, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)
IRFP240PBF IR10+TO-247HEXFETåçMOSåºæåºç®¡
IRFP240 IR10+TO-247HEXFETåçMOSåºæåºç®¡
IRFP2410 IR10+TO-247100 V, 61 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (100 V, 61 A, Næ²é HEXFETåçMOSåºæåºç®¡)
IRFP244PBF IR09+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.28Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º16Aï1/4)
IRFP244 IR09+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º250Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.28Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º16Aï1/4)

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