ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRFL014TR
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRFL014TR

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产ååç§°ï1/455 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/411+
  • å°è£ ï1/4SOT-223
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4ç¹å»æ¥æ3/4IRFL014TRçpdfèμæ
  • ç¹å»è ̄¢ä»·
èç³»æä»¬ 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRFL014TR55 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)

ä ̧IRFL014TRç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRFIZ44G IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ44 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ48GPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)
IRFIZ48G IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)
IRFL014TRPBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014PBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014 IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL110TRPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110TR IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110PBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æåº§ RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈æ·±åº¦é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIPç»§çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+ç»§çμå ̈ç»§çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·

IRåçäº§åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRFL014PBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014 IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL110TRPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110TR IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110PBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFP044PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP044 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP048RPBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048R IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048PBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048 IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP054PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung
IRFP054 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP054N mit bleifreier Verpackung
IRFP064PBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî)
IRFP064 IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,008 Ohm, Id = 110 Aî)
IRFP140PBF IR11+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4)
IRFP140 IR11+TO-247N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡ï1/4æ1/4æºçμåä ̧º100Vï1/4å ̄1/4éçμé»ä ̧º0.052Ωï1/4æ1/4çμæμä ̧º31Aï1/4)
IRFP150PBF IR11+TO-24740A, 100V, 0.055 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (40A, 100V, 0.055 Ohm, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)
IRFP150 IR11+TO-24740A, 100V, 0.055 Ohm, N-Kanal PowerMOSFET (40A, 100V, 0.055 Ohm, Næ²éå¢å1/4ºååçMOSåºæåºç®¡)

åç±»æ£ç'¢