ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRFIZ34G
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRFIZ34G

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (Ein) = 0,042 Ohm, Id = 21 A)
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/411+
  • å°è£ ï1/4TO-220
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRFIZ34Gçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRFIZ34GLeistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (Ein) = 0,042 Ohm, Id = 21 A)

ä ̧IRFIZ34Gç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRFIZ14G IR11+TO-220MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
IRFIZ24GPBF IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ24G IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ24 IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ34GPBF IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (Ein) = 0,042 Ohm, Id = 21 A)
IRFIZ34 IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (Ein) = 0,042 Ohm, Id = 21 A)
IRFIZ44GPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ44G IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ44 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ48GPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRFIZ34 IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (Ein) = 0,042 Ohm, Id = 21 A)
IRFIZ44GPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ44G IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ44 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,024 Ohm, Id = 31 A)
IRFIZ48GPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)
IRFIZ48G IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 37 A)
IRFL014TRPBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014TR IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014PBF IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL014 IR11+SOT-22355 V, 1,9 A, N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET (55 V, 1,9 A, Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFL110TRPBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110TR IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110PBF IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFL110 IR11+SOT-223Leistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (ein) = 0,54 Ohm, Id = 1,5 A)
IRFP044PBF IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP044 IR11+TO-24755-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung
IRFP048RPBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048R IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048PBF IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)
IRFP048 IR11+TO-247Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,018 Ohm, Id = 70 A)

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·