ä ̧»е¡μ > 产ä ̧å¿ > Еºææºç®¡
IRFIZ14G
产åå3/4çä» ä3/4è
欢è¿ç'¢å产è ̄¦ç»èμæ

IRFIZ14G

  • æе±ç±»«ï1/4Еºææºç®¡
  • º§åå称ï1/4MOSFET N-CH 60 В 8 А TO220FP
  • еп1/4ИНФРАКРАСНЫЙ
  • чº§æ·п1/411+
  • Е° П1/4ТО-220
  • еºç¶æï1/4æåºå
  • еопип1/49000
  • э1/2 ¢® и'еп1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRFIZ14Gçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • «Уº§ä»»

IRFIZ14GMOSFET N-CH 60 В 8 А TO220FP

ä ̧IRFIZ14Gç ̧å ³çICè¿æï1/4


е·ехæ¹å·е°è£è ̄'æ
IRFI9Z14G ИНФРАКРАСНЫЙ10+PBFТО-220ФMOSFET P-CH 60 В 5,3 А TO220FP
IRFI9Z24GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ10+PBFТО-220ФMOSFET P-CH 60 В 8,5 А TO220FP
IRFI9Z24G ИНФРАКРАСНЫЙ10+PBFТО-220ФMOSFET P-CH 60 В 8,5 А TO220FP
IRFI9Z34GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ10+PBFТО-220ФMOSFET P-CH 60 В 12 А TO220FP
IRFI9Z34G ИНФРАКРАСНЫЙ10+PBFТО-220ФMOSFET P-CH 60 В 12 А TO220FP
IRFIZ24GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,071 Ом, Id = 14 А)
IRFIZ24G ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,071 Ом, Id = 14 А)
IRFIZ24 ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,071 Ом, Id = 14 А)
IRFIZ34GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,042 Ом, Id = 21 А)
IRFIZ34G ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,042 Ом, Id = 21 А)

çé ̈æç'¢


е·ехæ¹å·е°è£è ̄'æ
RDE7U3A150J2K1H03B Мурата Мэньюфэкчуринг Ко Лтд24+чμе®¹Конденсатор: керамический, 15 пФ, 1 кВ, U2J, ±5%, THT, 5 мм
ПС-34ПЭ-Д4ЛТ1-ЛП1 JAE Electronics24+è¿æ¥å ̈РАЗЪЕМ CONN R/A 34POS 2,54 ММ
А22НН-БГ-НВА-Г101-НН Корпорация OMRON24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
С-1106437 Возможности подключения TE24+è¿æ¥å ̈Соединительные аксессуары Капот Литой Алюминий Свободная Деталь
Х208-8 Витром24+ОКУНАТЬРезистор, 100 МоОм, 10%, 5 Вт, осевой вывод, проволочная намотка, мощность (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Амфенол Позитроник23+ОКУНАТЬ©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
ЭЭЭ046-Т11 е3/4·е1/2E+E24+æ ̈¡åе·æ£æμ仪
A309560C7W Амфенол Энерджи Технолоджи24+è¿æ¥å ̈Разъем 309, 3P + N + E / 5 Вт - 60 А - Разъем - 277 / 480 В keway 7 ч, IP67
HBL430B7W Проводка помещения Hubbell24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, ВХОД, 3P4W, 30A 3P 480В, 4X/69K
621Н-18Ф-10-6С Корпорация «Амфенол»24+è¿æ¥å ̈Круглый разъем Размер штекера разъема 10
LV100-4000/SP6 è±е§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
Д-У307-КЛС Морс Смитт24+继çμå ̈реле - Штекерное, 4-полюсное, катушка переменного тока
TDB4-U204-C Морс Смитт24+继çμå ̈»¶æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 Разъемы AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥åå ̈å¥ã£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 Разъемы AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥åå ̈å¥ã£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 Разъемы AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥åå ̈å¥ã£
AB0521001412PN00 Разъемы AB24+è¿æ¥å ̈AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
ТМ-И2000/115-230П АБВ24+ех ̈Однофазный управляющий и изолирующий трансформатор
К25-1АХ-Х13-Н-ХБ-Л ХАЙМУО24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Ренезас23+КФП100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

IRåç产æ ̈è


е·ехæ¹å·е°è£è ̄'æ
IRFIZ24GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,071 Ом, Id = 14 А)
IRFIZ24G ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,071 Ом, Id = 14 А)
IRFIZ24 ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,071 Ом, Id = 14 А)
IRFIZ34GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,042 Ом, Id = 21 А)
IRFIZ34G ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,042 Ом, Id = 21 А)
IRFIZ34 ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-220Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,042 Ом, Id = 21 А)
IRFIZ44GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 55 В, Rds(on) = 0,024 Ом, Id = 31 А)
IRFIZ44G ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 55 В, Rds(on) = 0,024 Ом, Id = 31 А)
IRFIZ44 ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 55 В, Rds(on) = 0,024 Ом, Id = 31 А)
IRFIZ48GPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,018 Ом, Id = 37 А)
IRFIZ48G ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 60 В, Rds(on) = 0,018 Ом, Id = 37 А)
IRFL014TRPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-22355 В, 1,9 А, N-канальный HEXFET Power MOSFET (55 В, 1,9 А, NƲé HEXFET с мосMOSºç®¡)
IRFL014TR ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-22355 В, 1,9 А, N-канальный HEXFET Power MOSFET (55 В, 1,9 А, NƲé HEXFET с мосMOSºç®¡)
IRFL014PBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-22355 В, 1,9 А, N-канальный HEXFET Power MOSFET (55 В, 1,9 А, NƲé HEXFET с мосMOSºç®¡)
IRFL014 ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-22355 В, 1,9 А, N-канальный HEXFET Power MOSFET (55 В, 1,9 А, NƲé HEXFET с мосMOSºç®¡)
IRFL110TRPBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 100 В, Rds(on) = 0,54 Ом, Id = 1,5 А)
IRFL110TR ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 100 В, Rds(on) = 0,54 Ом, Id = 1,5 А)
IRFL110PBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 100 В, Rds(on) = 0,54 Ом, Id = 1,5 А)
IRFL110 ИНФРАКРАСНЫЙ11+СОТ-223Мощность MOSFET (Vdss = 100 В, Rds(on) = 0,54 Ом, Id = 1,5 А)
IRFP044PBF ИНФРАКРАСНЫЙ11+ТО-24755 В одноканальный шестиканальный силовой МОП-транзистор в корпусе TO-247AC; Аналогично IRFP044N с бессвинцовой упаковкой

ç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCTМКП14056028·