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IRF9Z34PBF
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IRF9Z34PBF

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  • 产åå称ï1/4P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
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IRF9Z34PBF P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,14 Ohm, Id = -18 A)

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IRF9Z34STRR IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34STRL IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34SPBF IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34S IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
TL594 TI09+10+16PDIP, 16SO, 16SOIC, 16TSSOPèå®1/2è°å¶ (PWM) æ§å¶çμè· ̄
IRF9Z34L IR10+TO-262-3P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34 IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI1010G IR10+TO-220ABLeistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,012 Ohm, Id = 49 A)
IRFI510G IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
IRFI520GPBF IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
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PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
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AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
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RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
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TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
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IRFI540GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)
IRFI540G IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)
IRFI540 IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)
IRFI614GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 2,0 Ohm, Id = 2,1 A)
IRFI614G IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 2,0 Ohm, Id = 2,1 A)
IRFI620GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,80 Ohm, Id = 4,1 A)
IRFI620G IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,80 Ohm, Id = 4,1 A)
IRFI624GPBF IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI624G IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI630GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI630G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI630 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)

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