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IRFI530G
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IRFI530G

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  • 产åå称ï1/4N-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
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IRFI530G N-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)

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IRFI1010G IR10+TO-220ABLeistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,012 Ohm, Id = 49 A)
IRFI510G IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
IRFI520GPBF IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
TL494 TI11+16PDIP, 16SO, 16SOIC, 16SSOP, 16TSSOPèå²å®1/2度è°å¶ (Pwm) æ§å¶çμè· ̄
IRFI520G IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
IRFI530 IR10+TO-220FN-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
TL3845B TI10+14SOIC, 8PDIP, 8SOICTL284xB, TL384xB
TL3845 TI09+14SOIC, 8PDIP, 8SOICçμæμæ ̈¡å1/4 PWM æ§å¶å ̈
TL3844B TI09+14SOIC, 8PDIP, 8SOICTL284xB, TL384xB
Nr. TL3844 TI10+14SOIC, 8PDIP, 8SOICçμæμæ ̈¡å1/4 PWM æ§å¶å ̈

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JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück

IRåç产åæ ̈è


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IRFI530 IR10+TO-220FN-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI540GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)
IRFI540G IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)
IRFI540 IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)
IRFI614GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 2,0 Ohm, Id = 2,1 A)
IRFI614G IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 2,0 Ohm, Id = 2,1 A)
IRFI620GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,80 Ohm, Id = 4,1 A)
IRFI620G IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,80 Ohm, Id = 4,1 A)
IRFI624GPBF IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI624G IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI630GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI630G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI630 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI634GPBF IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI634 IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI640GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI640G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI640 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI644GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)
IRFI644G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)

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