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IRFI630GPBF
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IRFI630GPBF

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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
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IRFI630GPBF Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)

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UCC27221 TI10+14HTSSOPé«æé¢æμåæ¥éå驱å ̈å ̈
UCC27201-Q1 TI10+8SO PowerPADæ±1/2è1/2¦ç±» 120V åå 3A å³°å1/4çμæμçé«é¢é«ç« ̄/ä1/2ç« ̄驱å ̈å ̈
UCC27201 TI08+8SO PowerPAD, 8SOIC, 8VSON120 - Vçå ̄å ̈ï1/43é«å³°ï1/4é«é¢çï1/4High-Side/Low-Side驱å ̈
IRFI624GPBF IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI624G IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI630G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI630 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI634GPBF IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI634 IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI640GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)

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KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈

IRåç产åæ ̈è


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IRFI630G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI630 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI634GPBF IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI634 IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI640GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI640G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI640 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI644GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)
IRFI644G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)
IRFI644 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)
IRFI9Z14GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
IRFI9Z14G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
IRFI9Z24GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z24G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z34GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
IRFI9Z34G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
IRFIZ14G IR11+TO-220MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
IRFIZ24GPBF IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ24G IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ24 IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)

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