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IRFI630G
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IRFI630G

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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
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IRFI630G Leistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)

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UCC27201-Q1 TI10+8SO PowerPADæ±1/2è1/2¦ç±» 120V åå 3A å³°å1/4çμæμçé«é¢é«ç« ̄/ä1/2ç« ̄驱å ̈å ̈
UCC27201 TI08+8SO PowerPAD, 8SOIC, 8VSON120 - Vçå ̄å ̈ï1/43é«å³°ï1/4é«é¢çï1/4High-Side/Low-Side驱å ̈
IRFI624GPBF IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI624G IR10+PBFTO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 1,1 Ohm, Id = 3,4 A)
IRFI630GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI630 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI634GPBF IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI634 IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI640GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI640G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)

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M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC

IRåç产åæ ̈è


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IRFI630 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,40 Ohm, Id = 5,9 A)
IRFI634GPBF IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI634 IR10+PBFTO-220F250V Næ²éMOSFET
IRFI640GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI640G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI640 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 200 V, Rds (ein) = 0,18 Ohm, Id = 9,8 A)
IRFI644GPBF IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)
IRFI644G IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)
IRFI644 IR10+PBFTO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 250 V, Rds (ein) = 0,28 Ohm, Id = 7,9 A)
IRFI9Z14GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
IRFI9Z14G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
IRFI9Z24GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z24G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
IRFI9Z34GPBF IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
IRFI9Z34G IR10+PBFTO-220FMOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
IRFIZ14G IR11+TO-220MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
IRFIZ24GPBF IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ24G IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ24 IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (ein) = 0,071 Ohm, Id = 14 A)
IRFIZ34GPBF IR11+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = 60 V, Rds (Ein) = 0,042 Ohm, Id = 21 A)

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