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IRF9Z24STRL

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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
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IRF9Z24STRLLeistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)

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IRF9Z14PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,50 Ohm, Id = -6,7 A)
IRF9Z14LPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,50 Ohm, Id = -6,7 A)
IRF9Z14L IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,50 Ohm, Id = -6,7 A)
IRF9Z14 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,50 Ohm, Id = -6,7 A)
IRF9Z24STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24L IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

IRåç产åæ ̈è


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IRF9Z24SPBF IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
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IRF9Z24 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z20 IR10+TO-220Pæ²éMOSFETç50ä1/4ççμæº
IRF9Z34STRR IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34STRL IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34SPBF IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34S IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34PBF IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34L IR10+TO-262-3P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34 IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI1010G IR10+TO-220ABLeistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,012 Ohm, Id = 49 A)
IRFI510G IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
IRFI520GPBF IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
IRFI520G IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
IRFI530G IR10+TO-220FN-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI530 IR10+TO-220FN-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI540GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)

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