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IRF9Z24SPBF
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IRF9Z24SPBF

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  • 产åå称ï1/4Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
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IRF9Z24SPBFLeistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)

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IRF9Z14LPBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,50 Ohm, Id = -6,7 A)
IRF9Z14L IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,50 Ohm, Id = -6,7 A)
IRF9Z14 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -60 V, Rds (ein) = 0,50 Ohm, Id = -6,7 A)
IRF9Z24STRR IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24STRL IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24PBF IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24L IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z24 IR10+TO-220Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
IRF9Z20 IR10+TO-220Pæ²éMOSFETç50ä1/4ççμæº

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CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
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Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
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TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
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IRåç产åæ ̈è


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IRF9Z24S IR10+TO-263Leistungs-MOSFET (Vdss = -55 V, Rds (ein) = 0,175 Ohm, Id = -12 A)
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IRF9Z20 IR10+TO-220Pæ²éMOSFETç50ä1/4ççμæº
IRF9Z34STRR IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34STRL IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34SPBF IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34S IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34PBF IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34L IR10+TO-262-3P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRF9Z34 IR10+TO-220P-Kanal HEXFET Power MOSFET (Pæ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI1010G IR10+TO-220ABLeistungs-MOSFET (Vdss = 55 V, Rds (ein) = 0,012 Ohm, Id = 49 A)
IRFI510G IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
IRFI520GPBF IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
IRFI520G IR10+TO-220FMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
IRFI530G IR10+TO-220FN-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI530 IR10+TO-220FN-Channel HEXFET Power MOSFET (Næ²é HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFI540GPBF IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)
IRFI540G IR09+TO-220FLeistungs-MOSFET (Vdss = 100 V, Rds (Ein) = 0,052 Ohm, Id = 20 A)

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