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IRF7606TRPBF
| IR | 2010+ | MSOP-8. | -30 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem Micro 8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7606 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRG4BC40SPBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | ç»ç1/4æ åææ¶ä1/2管IGBTçæ åé度 INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Standard-Speed-IGBT |
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IRF7809AVTRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7809AVTR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
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IRLR3410TRLPBF
| IR | 2010+ | D-pak | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR3410TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7507TRPBF
| IR | 2010+ | MSOP-8 | 20V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7507 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IR2175SPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | 线æ§çμæμæåºéæçμè· ̄LINEARER STROMMESS-IC |
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IRF1404STRRPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 40-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF1404STRR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel rechts |
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IRFZ44NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFZ44NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF6617TR1PBF
| IR | 2010+ | LCC | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktive |
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IRF7316TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8. | -30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7316TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF9530NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | -100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung. |
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IRF8721TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8721PBF auf Tape and Ree ausgeliefert |
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IRFP044NPBF
| IR | 2010+ | TO-247 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung |
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IR21592SPBF
| IR | 2010+ | SOP16 | Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592S mit Le |
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PVT312PBF
| IR | 2010+ | DIP | 250V 1 Form A Photovoltaik-Relais in einem 6-poligen DIP-Gehäuse; Ähnlich wie PVT312 mit bleifreier Verpackung |
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IRF7832PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRFZ34NSPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRFB4321PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF3007PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF640NSPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NS mit bleifreier Verpackung |