| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
IRFZ44NSTRLPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFZ44NSTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
|
IRF6617TR1PBF
| IR | 2010+ | LCC | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-Gehäuse mit einer Nennleistung von 52 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie aktive |
|
IRF7316TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8. | -30 V Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7316TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
IRF9530NPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | -100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse; Ähnlich wie bei der IRF9530N mit bleifreier Verpackung. |
|
IRF8721TRPBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8721PBF auf Tape and Ree ausgeliefert |
|
IRFP044NPBF
| IR | 2010+ | TO-247 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse; Ähnlich wie IRFP044N mit bleifreier Verpackung |
|
IR21592SPBF
| IR | 2010+ | SOP16 | Steuerung des dimmbaren Vorschaltgeräts, Brownout-Schutz, programmierbare Vorheizzeit, 1,8 us Totzeit in einem 16-poligen SOIC-Schmalgehäuse; Ähnlich wie IR21592S mit Le |
|
PVT312PBF
| IR | 2010+ | DIP | 250V 1 Form A Photovoltaik-Relais in einem 6-poligen DIP-Gehäuse; Ähnlich wie PVT312 mit bleifreier Verpackung |
|
IRF7832PBF
| IR | 2010+ | SOP-8 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
|
IRFZ34NSPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
|
IRFB4321PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
|
IRF3007PBF
| IR | 2010+ | TO-220AB | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
|
IRF640NSPBF
| IR | 2010+ | TO-263 | 200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF640NS mit bleifreier Verpackung |
|
IRF7201TRPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7201 mit Tape-and-Reel-Verpackung |
|
IPS2041LTRPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | æºè1/2åçä1/2ä3/4§å1/4å ³INTELLIGENT POWER LOW-SIDE-SCHALTER |
|
SI4410DYTRPBF
| IR | 2010+ | SOIC-8 | 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie SI4410DYTR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
|
IRFIZ44NPBF
| IR | 2010+ | TO-220F | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
IRFB3307ZPBF
| IR | 2010+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
|
IRG4IBC20FDPBF
| IR | 2010+ | TO-220F | ç»ç1/4æ åæåæ¶ä1/2管ï1/4è¶ å¿«è1/2 ̄æ¢å¤äºæ管INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR MIT ULTRASCHNELLER SOFT-RECOVERY-DIODE |
|
IRFI4212H-117P
| IR | 2010+ | TO-220F-5 | æ°åé³é¢MOSFET DIGITAL AUDIO MOSFET |