ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
HAT2141H-EL-E
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

HAT2141H-EL-E

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
  • ååï1/4RENESAS
  • ç产æ¹å·ï1/409+PB
  • å°è£ ï1/4LFPAK
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找HAT2141H-EL-Eçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

HAT2141H-EL-E Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

ä ̧HAT2141H-EL-Eç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
HAT2141H RENESAS09+PBLFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2141H-EL-E RENESAS09+PBLFPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0

RENESASåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
RJK0304DPB RENESAS10+TO252-4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch : 50; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,004; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0055]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0305DPB RENESAS10+SOT669MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch : 45; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0067; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,01]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
HAT2200WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 100; Kennung (A): 20; Pch : 20; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,022; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,023 (8 V); RDS (ON) typ. (Ohm
RJK0316DPA RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 40; Pch : 45; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,005; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0069]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
HAT2175H RENESAS10+SOT-4MOSFET, schaltend; VDSS (V): 100; Kennung (A): 15; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,033; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: -; RDS (ON) typ. (Ohm) @2,5 V:
HAT2201WP RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 100; Kennung (A): 15; Pch : 15; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,034; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: 0,035 (8 V); RDS (ON) typ. (Ohm
HAT2142H RENESAS10+SOT669Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2142H-EL-E RENESAS10+SOT669Silizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
RJK0332DPB RENESAS10+LFPAKMOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0036; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,005]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
RJK0353DPA RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,004; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0054]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
RJK0355DPA RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0082; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0118]; RDS (ON) typ. (Ohm) @
RJK0364DPA RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 35; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,006; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,008]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2.
RJK0365DPA RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 30; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,007; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,0096]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
RJK0366DPA RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 25; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,0085; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,012]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2
RJK0368DPA RENESAS10+QFN8MOSFET, schaltend; VDSS (V): 30; Kennung (A): 20; Pch:-; RDS (ON) typ. (Ohm) @10V: 0,011; RDS (ON) typ. (Ohm) @4V [4,5 V]: [0,016]; RDS (ON) typ. (Ohm) @2.
HAT2116H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2137H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2143H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2168H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung
HAT2170H-EL-E RENESAS10+LEPAKSilizium N-Kanal Leistung MOS FET Leistungsumschaltung

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·